石英晶體中電氣參數(shù)介紹

晶體通常指的是石英晶體（Quartz Crystal），它具有穩(wěn)定的諧振頻率特性。晶體里面的晶片材料是由石英晶棒切割而來(lái)，主要分子材料是二氧化硅（SiO2）。“壓電效應(yīng)”是石英晶片所具有的物理特性，所謂的壓電效應(yīng)，是指該物質(zhì)因彈性形變而使內(nèi)部電子向表面移動(dòng)，形成交變的電場(chǎng)，再由交變的電場(chǎng)而產(chǎn)生機(jī)械形變的反復(fù)過(guò)程。晶體在諧振時(shí)，就是壓電效應(yīng)的作用，在電路中，發(fā)生固有頻率的諧振，起到穩(wěn)定頻率的作用。

石英晶體主要參數(shù)

標(biāo)稱頻率[Nominal Frequency]

晶體振蕩產(chǎn)生的周期性信號(hào)的頻率，晶體的頻率大小取決于晶片厚度和晶片尺寸，晶片越薄，振蕩頻率就越高，單位用KHz、MHz表示。

振蕩模式[Oscillation Mode]

基頻AT1、泛音AT3

封裝[Holder Type]

晶體的尺寸大小,提供SMD1612/2016/2520/3225/5032/6035/7050等片式封裝，插件分為HC-49S和假貼片HC-49SMD等。

常溫頻差[Frequency Tolerance]

在某一指定負(fù)載電容下的諧振頻率，與標(biāo)稱頻率在25℃±2℃的溫度下的頻率偏差,單位用ppm表示。

激勵(lì)功率[Drive Level]

在電路穩(wěn)定工作中提供給晶體的驅(qū)動(dòng)功率值，單位用μW 表示。

負(fù)載電容[Load Capacitance]

相對(duì)于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測(cè)試的頻率也不一樣，在制作或使用時(shí)必須指定負(fù)載電容，單位通常用pF表示。

諧振電阻[Effective Resistance]

串聯(lián)共振頻率下的石英晶體的電阻值，單位用Ω表示。

靜電容[Shunt Capacitance]

靜態(tài)電容C0。對(duì)同一頻率點(diǎn)來(lái)說(shuō)其值大小與電極尺寸設(shè)計(jì)有關(guān)，成正比關(guān)系，單位用pF表示。

激勵(lì)功率依賴性[Drive Level Dependency]

MaxR-MinR 在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大電阻與最小電阻之間的差值，單位用Ω表示。

溫度頻差[Temperature Drift]

晶振在不同溫度下諧振工作穩(wěn)定的頻率與25℃下的最大偏差值。這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)，較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對(duì)于一些對(duì)頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測(cè)量等，這是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。單位用ppm表示。

寄生響應(yīng)[Spurious response]

在指定頻率范圍內(nèi)，用12.5Ω測(cè)試座量測(cè)時(shí),寄生振蕩相較于主振點(diǎn)之間振幅差值。單位用bB表示。

工作溫度范圍[Operating temperature Range]

石英晶體在規(guī)定的公差內(nèi)工作的溫度范圍。通常有-40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃、-40℃～＋125℃。

存儲(chǔ)溫度范圍[Storage Temperature Range]

晶振在未使用情況下儲(chǔ)存的溫度范圍。通常在-55℃～＋125℃。

絕緣阻抗[Insulation Resistance]

晶體功能腳與金屬外殼之間的電阻值。單位用Ω表示。

年老化率[Aging]

在所有其它條件都恒定不變的情況下，晶振的頻率仍會(huì)隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長(zhǎng)期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時(shí)間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。